Preventiva protiv falsifikata i kvara
Vizuelni i paketing inspekcija
Проверa електричне перформансе
Email usluge:
[email protected]
>
SQJ488EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
3673 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Zatraži ponudu
(Isporučuje se sutra)
*Količina
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (150 Ocene)
SQJ488EP-T1_GE3
Pregled proizvoda
13006422
Broj dela
SQJ488EP-T1_GE3-DGProizvođač
Vishay Siliconix
SQJ488EP-T1_GE3
Opis
MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8Inventar
3673 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 100 V 42A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Količina
Minimum 1
Minimum 1
Kupovina i upit
Гаранција и поврати
Kako naručiti
Шипинг и достава
Osiguranje kvaliteta
365 - Dan garancije kvaliteta - Svaki deo potpuno podržan.
90-dnevno povraćaj novca ili zamena - Neispravni delovi? Bez muke.
Ограничена залиха, поручите сада - добијте поуздане делове без бриге.
Глобална достава и сигурна паковање
Dostava širom sveta za 3-5 radnih dana
100% ESD Antistatičko Pakovanje
Праћење у реалном времену за сваку поруџбину
Безбедна и флексибилна уплата
Кредитна картица, VISA, МастерКард, PayPal, Western Union, Телеграфски пренос (T/T) и још
Сва плаћања су шифрована ради безбедности
SQJ488EP-T1_GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
Transistori, FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Pakovanje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
TrenchFET®
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Deo Status
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
100 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
42A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
21mOhm @ 7.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
979 pF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
83W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PowerPAK® SO-8
Paket / slučaj
PowerPAK® SO-8
Osnovni broj proizvoda
SQJ488
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Preuzmi SQJ488EP-T1_GE3 Specifikacija proizvoda (PDF)
HTML Tehnička dokumentacija
SQJ488EP-T1_GE3-DG
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
The attention to detail in DiGi Electronics' manufacturing process is commendable.
Dec 02, 2025
The superior quality of their products has improved the overall reliability of our prototypes.
Dec 02, 2025
I appreciate their fair prices and commitment to eco-friendly packaging.
Dec 02, 2025
They often have sales that further lower the already great prices, enhancing my shopping experience.
Dec 02, 2025
Their pricing advantage allows me to buy multiple items with confidence in their packaging.
Dec 02, 2025
The overall shopping experience was smooth, from browsing to delivery.
Dec 02, 2025
Speedy delivery and excellent customer support left me completely satisfied.
Dec 02, 2025
The website provides a seamless browsing experience, making it easy to find what I need quickly.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Често постављана питања (ЧПП)
Koje su glavne karakteristike i specifikacije Vishay SQJ488EP-T1_GE3 MOSFET-a?
Vishay SQJ488EP-T1_GE3 je N-kanal MOSFET sa naponskom ocenom od 100V, kontinuiranim strujama odvoda od 42A i disipacijom snage od 83W. Odlikuje ga PowerPAK® SO-8 pakovanje, visoka struja, i nisko Rds On za efikasne performanse.
Da li je ovaj MOSFET pogodan za primenu u automobilskoj industriji?
Da, ovaj MOSFET je kvalifikovan prema standardu AEC-Q101, što ga čini pogodnim za automobilske aplikacije koje zahtevaju pouzdano upravljanje energijom u teškim uslovima.
Koji je opseg radnih temperatura za Vishay SQJ488EP-T1?
MOSFET može da radi u temperaturnom opsegu od -55°C do 175°C, što garantuje dugotrajnost i pouzdane performanse u različitim okruženjima.
Koliko je ovaj N-kanal MOSFET kompatibilan sa različitim naponima na gastu?
Ovaj MOSFET se može upravljati sa maksimalnim Vgs od ±20V, a za optimalno Rds On je potrebno naponsko napajanje gajt-kruga od 4,5V do 10V, što ga čini kompatibilnim sa uobičajenim krugovima za upravljanje gajt-krugom.
Koje opcije pakovanja su dostupne za ovaj MOSFET i kako to utiče na instalaciju?
MOSFET je dostupan u pakovanjima Tape & Reel (TR) i Cut Tape (CT), koja su pogodne za automatsku površinsku montažu, čime se obezbeđuje efikasna instalacija u elektronskoj proizvodnji.
Osiguranje kvaliteta (QC)
DiGi osigurava kvalitet i autentičnost svakog elektroničkog komponenta putem stručnih inspekcija i uzoraka iz serije, garantujući pouzdano snabdevanje, stabilne performanse i usklađenost sa tehničkim specifikacijama, pomažući kupcima da smanje rizike u lancu snabdevanja i da sa sigurnošću koriste komponente u proizvodnji.
SQJ488EP-T1_GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SQJ488EP-T1_GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
