Preventiva protiv falsifikata i kvara
Vizuelni i paketing inspekcija
Проверa електричне перформансе
Email usluge:
[email protected]
>
SI2387DS-T1-GE3
Vishay Siliconix
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1
15100 kom. Nova originalna na skladištu
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Zatraži ponudu
(Isporučuje se sutra)
*Količina
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (507 Ocene)
SI2387DS-T1-GE3
Pregled proizvoda
12959113
Broj dela
SI2387DS-T1-GE3-DGProizvođač
Vishay Siliconix
SI2387DS-T1-GE3
Opis
P-CHANNEL -80V SOT-23, 164 M @ 1Inventar
15100 kom. Nova originalna na skladištu
P-Channel 80 V 2.1A (Ta), 3A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Količina
Minimum 1
Minimum 1
Kupovina i upit
Гаранција и поврати
Kako naručiti
Шипинг и достава
Osiguranje kvaliteta
365 - Dan garancije kvaliteta - Svaki deo potpuno podržan.
90-dnevno povraćaj novca ili zamena - Neispravni delovi? Bez muke.
Ограничена залиха, поручите сада - добијте поуздане делове без бриге.
Глобална достава и сигурна паковање
Dostava širom sveta za 3-5 radnih dana
100% ESD Antistatičko Pakovanje
Праћење у реалном времену за сваку поруџбину
Безбедна и флексибилна уплата
Кредитна картица, VISA, МастерКард, PayPal, Western Union, Телеграфски пренос (T/T) и још
Сва плаћања су шифрована ради безбедности
SI2387DS-T1-GE3 Tehničke specifikacije
Kategorija
Transistori, FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Pakovanje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
TrenchFET® Gen IV
Status proizvoda
Active
FET Tip
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
80 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
2.1A (Ta), 3A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
164mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
395 pF @ 40 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / slučaj
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Preuzmi SI2387DS-T1-GE3 Specifikacija proizvoda (PDF)
Tehnički listovi
SI2387DS
HTML Tehnička dokumentacija
SI2387DS-T1-GE3-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Standardni paket
3,000
Ostala imena
742-SI2387DS-T1-GE3CT
742-SI2387DS-T1-GE3TR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
포장 재료가 친환경적이라 환경 보호에 도움을 주는 것 같아 기뻤어요.
Dec 02, 2025
Une marque que je recommande pour des produits à la fois économiques et performants.
Dec 02, 2025
Le support après-vente de cette entreprise est au top, leur équipe est agréable et efficace.
Dec 02, 2025
物流の効率化により、コストと時間の両方を節約できました。
Dec 02, 2025
商品の品質は抜群で、配送もとても早かったです。素晴らしい体験でした！
Dec 02, 2025
Rapid shipping with sturdy, safe packaging—couldn't ask for more.
Dec 02, 2025
They consistently demonstrate professionalism in both support and shipping.
Dec 02, 2025
Overall, their excellent after-sales support and inventory management make them our preferred supplier.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Често постављана питања (ЧПП)
Koje su glavne osobine Vishay SI2387DS-T1-GE3 P-kanal MOSFETA?
Vishay SI2387DS-T1-GE3 je P-kanal MOSFET sa radnim naponom od 80V, kontinuiranim strujnim opterećenjem od 2,1A (pri 25°C), i karakteriše ga nisko Rds On od 164mΩ pri 10V. Namenjen je za instalaciju na površinu (SMD) u paketu SOT-23 i proizveden je trench tehnologijom za efikasne performanse prekidača.
Da li je Vishay SI2387DS-T1-GE3 pogodan za primene visokofrekventnog prekidača?
Da, ovaj MOSFET s malim kapacitetom vrata (10,2 nC pri 10V) i niskom ulaznom kapacitetom (395 pF pri 40V) pogodan je za visokofrekventno prekidanje i efikasno upravljanje energijom u različitim elektronskim uređajima.
Koje su uobičajene primene SI2387DS-T1-GE3 P-kanal MOSFETA u elektronskim sklopovima?
Ovaj P-kanal MOSFET je idealan za prekidanje opterećenja, upravljanje energijom i prekidače na visokoj strani u potrošačkoj elektronici, automobilskoj industriji i industrijskim primenama, zahvaljujući visokim naponima koje može da podnese i niskom Rds On otpornosti.
Da li je Vishay SI2387DS-T1-GE3 kompatibilan sa standardnim procesima za površinsku montažu?
Da, uređaj dolazi u paketu SOT-23-3, koji je široko korišćen u tehnologiji površinske montaže, čime je kompatibilan sa standardnim procesima sastavljanja PCB-a i automatizovanom proizvodnjom.
Koju vrste podrške nakon prodaje možete očekivati za Vishay SI2387DS-T1-GE3 MOSFET?
Pošto je proizvod od Vishay-a, aktivan je i dostupnu je zaliha, tehnička podrška, tehnički listovi i garancije obično su dostupni putem ovlašćenih distributera i Vishay-evih kanala za korisničku podršku.
Osiguranje kvaliteta (QC)
DiGi osigurava kvalitet i autentičnost svakog elektroničkog komponenta putem stručnih inspekcija i uzoraka iz serije, garantujući pouzdano snabdevanje, stabilne performanse i usklađenost sa tehničkim specifikacijama, pomažući kupcima da smanje rizike u lancu snabdevanja i da sa sigurnošću koriste komponente u proizvodnji.
SI2387DS-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI2387DS-T1-GE3 PCB symbols & footprints
productDetail
