Preventiva protiv falsifikata i kvara
Vizuelni i paketing inspekcija
Проверa електричне перформансе
Email usluge:
[email protected]
>
NVHL080N120SC1A
onsemi
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
1000400 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zatraži ponudu
(Isporučuje se sutra)
*Količina
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (293 Ocene)
NVHL080N120SC1A
Pregled proizvoda
12938801
Broj dela
NVHL080N120SC1A-DGProizvođač
onsemi
NVHL080N120SC1A
Opis
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3Inventar
1000400 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 178W (Tc) Through Hole TO-247-3
Količina
Minimum 1
Minimum 1
Kupovina i upit
Гаранција и поврати
Kako naručiti
Шипинг и достава
Osiguranje kvaliteta
365 - Dan garancije kvaliteta - Svaki deo potpuno podržan.
90-dnevno povraćaj novca ili zamena - Neispravni delovi? Bez muke.
Ограничена залиха, поручите сада - добијте поуздане делове без бриге.
Глобална достава и сигурна паковање
Dostava širom sveta za 3-5 radnih dana
100% ESD Antistatičko Pakovanje
Праћење у реалном времену за сваку поруџбину
Безбедна и флексибилна уплата
Кредитна картица, VISA, МастерКард, PayPal, Western Union, Телеграфски пренос (T/T) и још
Сва плаћања су шифрована ради безбедности
NVHL080N120SC1A Tehničke specifikacije
Kategorija
Transistori, FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Pakovanje
Tube
Serije
-
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
31A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
20V
Srs Na (maks) @ id, vgs
110mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
4.3V @ 5mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
56 nC @ 20 V
Vgs (Maks)
+25, -15V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
1670 pF @ 800 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
178W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Razredu
Automotive
Kvalifikacije
AEC-Q101
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
TO-247-3
Paket / slučaj
TO-247-3
Osnovni broj proizvoda
NVHL080
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Preuzmi NVHL080N120SC1A Specifikacija proizvoda (PDF)
Tehnički listovi
NVHL080N120SC1A
HTML Tehnička dokumentacija
NVHL080N120SC1A-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
488-NVHL080N120SC1A
2156-NVHL080N120SC1A
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
친절한 고객 지원과 빠른 문제 해결이 돋보입니다.
Dec 02, 2025
J’adore faire mes achats chez DiGi Electronics, où tout est à la fois économique et respectueux de l’environnement.
Dec 02, 2025
Leur offre variée est un vrai atout, elle permet d’accéder à des solutions technologiques de pointe facilement.
Dec 02, 2025
L'expédition a été rapide et l'emballage très solide. Excellent service à recommander.
Dec 02, 2025
The prices are friendly on the pocketbook, and the staff is always courteous and helpful.
Dec 02, 2025
The company's commitment to inventory accuracy is impressive.
Dec 02, 2025
Their pricing advantage is one of the best in the industry, enabling us to operate efficiently.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Често постављана питања (ЧПП)
Koje su glavne karakteristike i specifikacije onsemi NVHL080N120SC1A MOSFET-a?
NVHL080N120SC1A je N-kanalni silicij-karbid (SiC) MOSFET sa naponskom ocenom od 1200V i kontinuiranim protokom izvoda od 31A pri 25°C, namenjen visokoparticle aplikacijama. Odlikuje ga niska Rds On od 110mΩ pri 20A/20V i pogodan je za radne temperature od -55°C do 175°C, u skladu sa automobilski standardima.
Za koje primene je ovaj SiC MOSFET pogodan?
Ovaj SiC MOSFET je idealan za visokovoltične konvertere snage, industrijske pogone i automobilske elektroenergetske sisteme zbog svoje visoke sposobnosti upravljanja naponima, efikasnosti i thermalnih performansi. Njegova robusna konstrukcija omogućava rad u zahtjevnim visokotemperaturnim i visokopotencijalnim okruženjima.
Da li je NVHL080N120SC1A kompatibilan sa standardnim metodama montaže sa rupom (through-hole)?
Da, ovaj MOSFET poseduje TO-247-3 paket, namenjen za montažu sa rupom, čime je kompatibilan sa standardnim procesima sastavljanja koji se koriste u snabdevanju elektronskih sistema i industrijske opreme.
Koje su prednosti korišćenja Silicijum-Karbid (SiC) tehnologije u ovom MOSFET-u?
Silicijum-karbid tehnologija omogućava veću efikasnost, bržu brzinu prebacivanja i bolju toplinsku performansu u poređenju sa tradicionalnim silicijumskim MOSFET-ovima, što pomaže u smanjenju gubitaka snage i povećanju pouzdanosti sistema u visokovoltičnim aplikacijama.
Koje vrste garancije ili podrške su dostupne za ovaj MOSFET proizvod?
Ovaj proizvod je nov, originalni onsemi artikl sa aktivnim statusom i dostupnošću na lageru. Proizvođači obično pružaju tehničku podršku i uslove garancije; za specifične informacije o postprodajnoj podršci i garanciji, molimo kontaktirajte dobavljača.
Osiguranje kvaliteta (QC)
DiGi osigurava kvalitet i autentičnost svakog elektroničkog komponenta putem stručnih inspekcija i uzoraka iz serije, garantujući pouzdano snabdevanje, stabilne performanse i usklađenost sa tehničkim specifikacijama, pomažući kupcima da smanje rizike u lancu snabdevanja i da sa sigurnošću koriste komponente u proizvodnji.
NVHL080N120SC1A CAD Models
onsemi NVHL080N120SC1A PCB symbols & footprints
productDetail
