Preventiva protiv falsifikata i kvara
Vizuelni i paketing inspekcija
Проверa електричне перформансе
Email usluge:
[email protected]
>
IPP041N12N3GXKSA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
200457 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Zatraži ponudu
(Isporučuje se sutra)
*Količina
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (94 Ocene)
IPP041N12N3GXKSA1
Pregled proizvoda
12803539
Broj dela
IPP041N12N3GXKSA1-DGProizvođač
Infineon Technologies
IPP041N12N3GXKSA1
Opis
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3Inventar
200457 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Količina
Minimum 1
Minimum 1
Kupovina i upit
Гаранција и поврати
Kako naručiti
Шипинг и достава
Osiguranje kvaliteta
365 - Dan garancije kvaliteta - Svaki deo potpuno podržan.
90-dnevno povraćaj novca ili zamena - Neispravni delovi? Bez muke.
Ограничена залиха, поручите сада - добијте поуздане делове без бриге.
Глобална достава и сигурна паковање
Dostava širom sveta za 3-5 radnih dana
100% ESD Antistatičko Pakovanje
Праћење у реалном времену за сваку поруџбину
Безбедна и флексибилна уплата
Кредитна картица, VISA, МастерКард, PayPal, Western Union, Телеграфски пренос (T/T) и још
Сва плаћања су шифрована ради безбедности
IPP041N12N3GXKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
Transistori, FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Pakovanje
Tube
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
120 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
120A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 270µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
13800 pF @ 60 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
300W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO220-3
Paket / slučaj
TO-220-3
Osnovni broj proizvoda
IPP041
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Preuzmi IPP041N12N3GXKSA1 Specifikacija proizvoda (PDF)
Tehnički listovi
IPx041N12N3 G, IPB038N12N3 G
HTML Tehnička dokumentacija
IPP041N12N3GXKSA1-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Ostala imena
SP000652746
IPP041N12N3 G
IPP041N12N3 G-DG
IPP041N12N3GXKSA1-DG
448-IPP041N12N3GXKSA1
IPP041N12N3G
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
쇼핑 경험이 정말 뛰어나고, 제품의 내구성도 좋아서 추천합니다.
Dec 02, 2025
Die Betreuung nach dem Kauf bei DiGi Electronics war vorbildlich. Bei einem Problem wurde mir umgehend eine Lösung angeboten.
Dec 02, 2025
信頼できるサポートで、製品の長寿命化に役立っています。
Dec 02, 2025
Their affordable prices make it easy to get dependable electronics without breaking the bank.
Dec 02, 2025
Order tracking is seamless, providing real-time updates on delivery status.
Dec 02, 2025
The entire delivery process, from packaging to logistics updates, was top-tier.
Dec 02, 2025
Their packaging materials seem to be specially chosen to withstand rough handling, safeguarding my goods.
Dec 02, 2025
The navigation experience is fluid, making shopping stress-free.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Често постављана питања (ЧПП)
Koje su glavne karakteristike Infineon OptiMOS™ N-Channel MOSFET-a (IPP041N12N3GXKSA1)?
Ovaj MOSFET podržava napon između drain-a i source-a od 120V i kontinuiranu struju do 120A pri 25°C, sa niskim Rds On od 4,1 mΩ, što ga čini pogodnim za aplikacije visokog napona i snage. Dizajniran je u TO-220-3 pakovanju za jednostavno lijepljenje i pouzdanu performansu.
Za koje primene je ovaj 120V 120A MOSFET pogodan?
Ovaj MOSFET je idealan za naponske konvertore, pogon motora i cirkuse visokog struje gde je efikasno upravljanje energijom i toplotne performanse od kritične važnosti. Njegov robuste dizajn obezbeđuje dugotrajnost u zahtevnim elektronskim sistemima.
Da li je ovaj N-Channel MOSFET kompatibilan sa postojećim elektronskim dizajnom?
Da, IPP041N12N3GXKSA1 je kompatibilan sa standardnim naponskim naponskim naponskim naponima i poseduje prag vrata od 4V, što ga čini pogodnim za različite dizajne prekidačkih izvora napajanja i ugrađenih sistema.
Koje su prednosti odabira MOSFET-ova iz Infineon-ove OptiMOS™ serije?
OptiMOS™ MOSFET-ovi su poznati po niskom Rds On, visokoj efikasnosti i izuzetnim toplotnim performansama, što pomaže u smanjenju disipacije energije i poboljšava ukupnu pouzdanost sistema.
Koju garanciju i podršku pruža ovaj MOSFET proizvod?
Kao aktivni proizvod usklađen sa RoHS3 standardima, MOSFET je podržan od strane proizvođača sa garancijom kvaliteta. Direktno je dostupan iz skladišta, što garantuje brzu dostupnost za vaše projekte.
Osiguranje kvaliteta (QC)
DiGi osigurava kvalitet i autentičnost svakog elektroničkog komponenta putem stručnih inspekcija i uzoraka iz serije, garantujući pouzdano snabdevanje, stabilne performanse i usklađenost sa tehničkim specifikacijama, pomažući kupcima da smanje rizike u lancu snabdevanja i da sa sigurnošću koriste komponente u proizvodnji.
IPP041N12N3GXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IPP041N12N3GXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
