Preventiva protiv falsifikata i kvara
Vizuelni i paketing inspekcija
Проверa електричне перформансе
Email usluge:
[email protected]
>
IMZA120R007M1HXKSA1
Infineon Technologies
SIC DISCRETE
89088 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
Zatraži ponudu
(Isporučuje se sutra)
*Količina
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (105 Ocene)
IMZA120R007M1HXKSA1
Pregled proizvoda
12999225
Broj dela
IMZA120R007M1HXKSA1-DGProizvođač
Infineon Technologies
IMZA120R007M1HXKSA1
Opis
SIC DISCRETEInventar
89088 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
Količina
Minimum 1
Minimum 1
Kupovina i upit
Гаранција и поврати
Kako naručiti
Шипинг и достава
Osiguranje kvaliteta
365 - Dan garancije kvaliteta - Svaki deo potpuno podržan.
90-dnevno povraćaj novca ili zamena - Neispravni delovi? Bez muke.
Ограничена залиха, поручите сада - добијте поуздане делове без бриге.
Глобална достава и сигурна паковање
Dostava širom sveta za 3-5 radnih dana
100% ESD Antistatičko Pakovanje
Праћење у реалном времену за сваку поруџбину
Безбедна и флексибилна уплата
Кредитна картица, VISA, МастерКард, PayPal, Western Union, Телеграфски пренос (T/T) и још
Сва плаћања су шифрована ради безбедности
IMZA120R007M1HXKSA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
Transistori, FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Pakovanje
Tube
Serije
CoolSiC™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
1200 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
225A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
15V, 18V
Srs Na (maks) @ id, vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
5.2V @ 47mA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (Maks)
+20V, -5V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
9170 nF @ 25 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
750W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže
Through Hole
Dobavljač uređaja Paket
PG-TO247-4-8
Paket / slučaj
TO-247-4
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Preuzmi IMZA120R007M1HXKSA1 Specifikacija proizvoda (PDF)
Tehnički listovi
IMZA120R007M1H
HTML Tehnička dokumentacija
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Ostala imena
SP005425973
448-IMZA120R007M1HXKSA1
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Des prix très intéressants et un emballage écologique, c’est ce qui me fait continuer à faire mes achats chez DiGi Electronics.
Dec 02, 2025
DiGi Electronics se distingue par ses prix abordables et un service après-vente de grande qualité.
Dec 02, 2025
Bei DiGi Electronics stimmt die Qualität, und die Versandzeiten sind stets eingehalten worden.
Dec 02, 2025
Post-purchase support was attentive and resolved my concerns swiftly, excellent service.
Dec 02, 2025
Working with DiGi Electronics has always been a positive experience.
Dec 02, 2025
Affordable prices and dedicated after-sales assistance make them a preferred provider.
Dec 02, 2025
Every delivery arrives in perfect condition, thanks to their excellent packaging.
Dec 02, 2025
Absolutely impressed with their professional customer service; they always go above and beyond to assist.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Често постављана питања (ЧПП)
Koje su glavne karakteristike i specifikacije Infineon CoolSiC™ N-kanal MOSFET-a (IMZA120R007M1HXKSA1)?
Ovaj SiC MOSFET ima napon od 1200V, neprekidnu struju od 225A pri 25°C i disipaciju snage do 750W. Namenjen je za visokoefikasno prekidanje sa optimizovanim Rds On (maks. 9,9 mΩ pri 108A, 18V).
Da li je Infineon SIC Discrete MOSFET kompatibilan sa aplikacijama visokih temperatura?
Da, ovaj MOSFET radi u temperaturnom opsegu od -55°C do 175°C, čime je pogodan za primene u visokotemperaturnim okruženjima u oblasti snage i industrijskim aplikacijama.
Kako SiCFET tehnologija koristi ovu MOSFET-u u poređenju sa tradicionalnim silikonskim uređajima?
Tehnologija silicijum-karbida (SiC) omogućava niže gubitke pri prebacivanju, veću efikasnost i bolju termičku performansu, što pomaže u smanjenju potrošnje energije i povećanju pouzdanosti uređaja u sistemima za konverziju snage.
Koje opcije za ugradnju i pakovanje su dostupne za ovaj MOSFET, i da li je pogodan za montažu putem probijanjem?
MOSFET dolazi u PG-TO247-4 pakovanju, namenjenom za montažu putem probijanjem, pružajući snažnu mehaničku stabilnost i dobru termičku funkcionalnost za naponske krugove.
Koje prednosti kupovine ovog MOSFET-a od originalnog proizvođača donosi u pogledu garancije i podrške?
Kupovina direktno od Infineon Technologies garantuje autentične, visokokvalitetne proizvode sa pouzdanom tehničkom podrškom, osiguravajući optimalne performanse i usklađenost sa međunarodnim standardima kao što su RoHS i REACH.
Osiguranje kvaliteta (QC)
DiGi osigurava kvalitet i autentičnost svakog elektroničkog komponenta putem stručnih inspekcija i uzoraka iz serije, garantujući pouzdano snabdevanje, stabilne performanse i usklađenost sa tehničkim specifikacijama, pomažući kupcima da smanje rizike u lancu snabdevanja i da sa sigurnošću koriste komponente u proizvodnji.
IMZA120R007M1HXKSA1 CAD Models
Infineon Technologies IMZA120R007M1HXKSA1 PCB symbols & footprints
productDetail
