Preventiva protiv falsifikata i kvara
Vizuelni i paketing inspekcija
Проверa електричне перформансе
Email usluge:
[email protected]
>
BSZ060NE2LSATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
30390 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Zatraži ponudu
(Isporučuje se sutra)
*Količina
Minimum 1
Minimum 1
5.0 / 5.0
- (206 Ocene)
BSZ060NE2LSATMA1
Pregled proizvoda
12852804
Broj dela
BSZ060NE2LSATMA1-DGProizvođač
Infineon Technologies
BSZ060NE2LSATMA1
Opis
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSONInventar
30390 kom. Nova originalna na skladištu
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Količina
Minimum 1
Minimum 1
Kupovina i upit
Гаранција и поврати
Kako naručiti
Шипинг и достава
Osiguranje kvaliteta
365 - Dan garancije kvaliteta - Svaki deo potpuno podržan.
90-dnevno povraćaj novca ili zamena - Neispravni delovi? Bez muke.
Ограничена залиха, поручите сада - добијте поуздане делове без бриге.
Глобална достава и сигурна паковање
Dostava širom sveta za 3-5 radnih dana
100% ESD Antistatičko Pakovanje
Праћење у реалном времену за сваку поруџбину
Безбедна и флексибилна уплата
Кредитна картица, VISA, МастерКард, PayPal, Western Union, Телеграфски пренос (T/T) и још
Сва плаћања су шифрована ради безбедности
BSZ060NE2LSATMA1 Tehničke specifikacije
Kategorija
Transistori, FET-ovi, MOSFET-ovi, Jednostavni FET-ovi, MOSFET-ovi
Pakovanje
Tape & Reel (TR)
Serije
OptiMOS™
Status proizvoda
Active
FET Tip
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odvod do izvornog napona (VDS)
25 V
Struja - Kontinuirano odvod (ID) @ 25 ° C
12A (Ta), 40A (Tc)
Pogonski napon (Mak Rds uključen, Min Rds On)
4.5V, 10V
Srs Na (maks) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Kapija punjenja (kg) (maks) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (Maks)
±20V
Ulazni kapacitet (Ciss) (maks) @ VDS
670 pF @ 12 V
FET karakteristika
-
Rasipanje snage (maks)
2.1W (Ta), 26W (Tc)
Radna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže
Surface Mount
Dobavljač uređaja Paket
PG-TSDSON-8-FL
Paket / slučaj
8-PowerTDFN
Osnovni broj proizvoda
BSZ060
Tehnička dokumentacija i dokumenti
Tehnički podaci
Preuzmi BSZ060NE2LSATMA1 Specifikacija proizvoda (PDF)
Tehnički listovi
BSZ060NE2LS
HTML Tehnička dokumentacija
BSZ060NE2LSATMA1-DG
Ekoloska i izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nivo osetljivosti na vlagu (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Dodatne informacije
Standardni paket
5,000
Ostala imena
BSZ060NE2LS
BSZ060NE2LS-DG
BSZ060NE2LSATMA1CT
BSZ060NE2LSDKR-DG
BSZ060NE2LSCT-DG
SP000776122
BSZ060NE2LSTR-DG
BSZ060NE2LSATMA1DKR
BSZ060NE2LSDKR
BSZ060NE2LSATMA1TR
BSZ060NE2LSCT
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
每次來都能享受到親切的服務，價格讓人感到物超所值。
Dec 02, 2025
Leur efficacité dans la gestion des livraisons et le support après-vente est remarquable.
Dec 02, 2025
The affordability of their products allows me to stay within my budget.
Dec 02, 2025
Their diverse product range allows for versatile use cases across different industries.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Често постављана питања (ЧПП)
Koje su ključne osobine Infineon OptiMOS™ N-kanalnog MOSFET-a BSZ060NE2LSATMA1?
Ovaj MOSFET omogućava napon od 25V između odvod i izvor, kontinuiranu struju do 12A i pulsnu struju do 40A. Odlikuje ga niska Rds On (6mΩ pri 20A i 10V) i podrška za visoku disipaciju snage, što ga čini pogodnim za razne aplikacije snage. Uređaj je monte na površinu i usklađen je sa RoHS3 standardima, što omogućava jednostavnu integraciju i zaštitu životne sredine.
Koje su tipične primene ovog 25V N-kanalnog MOSFET-a u elektronskim krugovima?
Ovaj MOSFET je idealan za prekidače u napajanjima, upravljanje motorima i ostale aplikacije visokog učinka u upravljanju energijom. Visoka struja i niska Rds On doprinose smanjenju gubitaka energije i toplote u vašim projektima.
Da li je BSZ060NE2LSATMA1 kompatibilan sa uobičajenim naponom na gate-u, i koja je njegova logička razina?
Da, ovaj MOSFET se može efikasno pokretati sa gate-v-source naponom od 4,5V do 10V, što ga čini pogodnim za logički nisku razinu upravljanja. Maksimalni Vgs je ±20V, a prag napona do 2V, što obezbeđuje pouzdano delovanje unutar standardnih logičkih nivoa.
Koje su prednosti odabira ovog Infineon MOSFET-a u poređenju sa drugim sličnim proizvodima?
Ovaj MOSFET odlikuje se niskom Rds On, visokim disipacijama snage i kompaktnošću paketa za montažu na površinu, što omogućava visoku učinkovitost i jednostavnost sastavljanja. Čvrsti termalni i električni parametri čine ga pogodnim za zahtevne primene snage i dugotrajnu pouzdanost.
Kako mogu da kupim i kakva je garancija ili podrška za MOSFET BSZ060NE2LSATMA1?
MOSFET je dostupan u paketu na traci i roli, a na skladištu je više od 26.000 jedinica. Za informacije o podršci i garanciji, obratite se direktno dobavljaču ili distributeru, jer oni obično pružaju tehničku pomoć i garantuju kvalitet proizvoda za standardne komponente.
Osiguranje kvaliteta (QC)
DiGi osigurava kvalitet i autentičnost svakog elektroničkog komponenta putem stručnih inspekcija i uzoraka iz serije, garantujući pouzdano snabdevanje, stabilne performanse i usklađenost sa tehničkim specifikacijama, pomažući kupcima da smanje rizike u lancu snabdevanja i da sa sigurnošću koriste komponente u proizvodnji.
BSZ060NE2LSATMA1 CAD Models
Infineon Technologies BSZ060NE2LSATMA1 PCB symbols & footprints
productDetail
